GaNターゲット

GaNターゲット
研究技術報告書
FAQ

特徴

独自の合成・焼結技術による純度の高さが特徴です。
スパッタリング法で化学気相成長（CVD）法と同等の高結晶性GaN薄膜が得られます。

用途

照明向けLED、マイクロLED、GaNパワー半導体等

生産体制

東ソー・スペシャリティマテリアル株式会社（山形県山形市）で製造しています。

グローバル体制

日本、韓国、中国、台湾、シンガポール、アメリカ、ヨーロッパに販売拠点を設け、各市場のニーズに応えることのできる販売体制を整えています。

社会貢献

GaN半導体の製造方法はCVD法が主流ですが、CVD法と比較して低温プロセスかつコスト優位性のあるスパッタリング法への置き換えにより半導体製造の省エネ化・低コスト化に貢献していきます。

GaNターゲット

独自の合成・焼結技術で高純度・高密度のGaNスパッタリングターゲットを提供しています。GaNスパッタリングターゲットを使用することで、スパッタリング法で高結晶性のGaN薄膜が得られます。

例えば、スパッタリングGaN膜をCVD成長用バッファ層として用いることで、CVD法で成膜するGaN膜の配向性が向上します。また、スパッタリングGaNバッファ層上にCVD法でHEMTを作製可能です。GaN on Si、スパッタリングGaN薄膜の詳細等については、本ページ下記の技術報告書をご覧ください。