ITOターゲット

ITOターゲット

特徴

In2O3をベースにSnO2などを添加することで、透明でかつ導電性を有する薄膜の形成が可能です。

用途

ディスプレイ、太陽電池、光を扱う半導体デバイスなどで使用されています。

生産体制

山形県の東ソー・スペシャリティマテリアル株式会社にて生産しています。

グローバル体制

日本、韓国、中国、台湾、シンガポール、アメリカ、ヨーロッパに販売拠点を設け、各市場のニーズに応えることのできる販売体制を整えています。

社会貢献

レアメタルであるインジウムの生産量は世界的に限られています。当社ではリサイクル体制を整え、資源の有効活用を図っています。

標準ITOターゲット

独自成形技術により高純度でかつ高密度なターゲットを提供しております。そのためノジュールの発生が少なく放電安定性に優れています。液晶製品のみならず他の低不純物を嫌う製品にもご利用いただけます。

SnO2含有量は3~10wt.%を中心にご要望に応じて製造致します。
 平板、円形、円筒形状、高効率形状など、様々な形状に対応致します。

標準ITOターゲット

MS-ITO 微細組織グレード

独自の成形、焼成技術により、微細組織のITOターゲットを提供しています。組織が微細なため、ターゲットの強度が高く放電安定性に優れる特徴があります。

標準グレード
MSグレード
ターゲット 平均粒径(μm) 相対密度(%) 曲げ強度
(Mpa)
MSグレード 1~3 99.9 260
標準グレード 4~5 99.9 219

USR 低温結晶化グレード

独自の添加材を採用し、ITOよりも低いアニール温度で結晶化する膜が得られるターゲットを提供しています。熱に弱い有機薄膜等と積層した後のアニールに効果を発揮します。

USR 低温結晶化グレード
ターゲット材 アニール温度 抵抗率(μΩcm) 移動度(cm2/Vs) キャリア密度'(-/cm3)
USR 100℃ 231 260 5.6E20
150℃ 197 219 6.04E20
ITO(SnO2:3wt%) 100℃ - - -
150℃ 331 37.1 5.7E20

※:-は結晶化しない 成膜条件:室温成膜 膜厚:30nm

SRE 赤外光高透過グレード

独自の添加材を採用し、赤外光の透過率が高い透明導電膜を形成可能です。低キャリア密度、高移動度の特徴を有しています。太陽電池用途や赤外光の受発光素子に最適なターゲットです。

SRE 赤外光高透過グレード
ターゲット材 抵抗率(μΩcm) 移動度(cm2/Vs) キャリア密度'(-/cm3)
SRE 206 95 3.2E20
ITO(SnO2:3wt.%) 275 36 6.6E20
ITO(SnO2:5wt.%) 240 28 9.8E20
ITO(SnO2:10wt.%) 225 21 1.4E21

成膜条件:室温成膜+200℃,60分アニール

ITO-HR 高抵抗グレード

ITOターゲットでは、実現困難な高シート抵抗を実現することが可能です。高いシート抵抗を厚い膜厚で実現することで、高い耐熱性、耐湿性が得られます。
抵抗膜方式のタッチパネルなどの用途に最適です。

ITO-HR 高抵抗グレード
ターゲット材 シート抵抗
300(Ω/□) 500(Ω/□)
ITO-HR1 18nm 15nm
ITO-HR2 12nm 10nm
ITO 8nm 不可

FAQ

  • 小型サイズや少量でも購入可能ですか?

    可能です。是非お問い合わせください。

製品に関するお問い合わせ

お電話でのお問い合わせ

03-5427-5171

高機能材料事業部
電子材料部 薄膜BU